光刻材料

陶氏电子材料事业群在光刻材料领域一直是领军人物,在提供尖端的光刻创新技术和工艺方面拥有三十多年的经验。陶氏将这种专业素养引入LED市场,推出一系列的正型g-Line和i-Line 光阻和相关的辅助产品。这些材料特别适宜于用于LED制造的成像工艺步骤,包括图案化蓝宝石基材(PSS)、正型和负型光刻工艺步骤等。

陶氏的LED光阻能够满足所有的关键性能指标:

  • 解析度高
  • 优异的耐蚀刻性能
  • 聚焦深度宽
  • 热稳定性

我们的光刻材料采用最严格的品质标准进行制造,满足半导体和化合物半导体制造工艺的各种苛刻要求。

1 μm的特征尺寸,3 μm的膜厚, i-Line波长

0.350 μm 的特征尺寸,12,000Å的膜厚,i-Line波长