用于晶圆级封装的铜

对于高度和低速电镀,凭借经过实际生产验证的、成熟的金属化工艺, 陶氏电子材料事业群的电镀铜特别适宜用于晶圆级封装。其高纵横比特性和均匀、无孔隙的沉积层使其特别适宜于铜柱、 钉头、 重新分布、 沟道、 硅穿孔 (TSV) 和其他高级封装工艺。

陶氏电子材料事业群在开发TSV镀铜解决方案方面处于处于最前沿的位置,采用TSV镀铜工艺的这种封装技术是一种新的应用领域。我们的三组分产品能够在高难度纵横比的TSV的自下向上填充过程中实现优异的填充性能表现。我们正在充分利用陶氏在大马士革铜电镀方面的多年经验和成功经历为高级封装市场带来高性能的TSV镀铜解决方案。

INTERVIA™ 镀铜化学原理

30 μm 微型圆柱

采用INTERVIA™ 铜电镀的铜柱

INTERLINK™ 铜

5 x 50 μm 的TSV

6 x 100 μm 的TSV